描述；北京炒股配资
AGM605MNA结合了先进的沟槽式MOSFET技术和低电阻封装，以提供极低的导通电阻（RDS(ON)）。
该器件非常适合负载开关和电池保护应用。
特征；
先进的高单元密度沟槽技术
低导通电阻（RDS(ON)），以最大限度减少导通损耗
低栅极电荷，实现快速开关
低热阻
100%雪崩测试
100%动态雪崩测试（DVDs测试）
应用；
电子镇流器
电子变压器
开关模式电源
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